Yarı iletken çiplerin üretimi (entegre devreler, IC'ler olarak da bilinir) esas olarak üç ana aşamaya ayrılır: IC tasarımı, IC üretimi ve IC paketleme ve testi. IC tasarımı temel olarak çipin tasarım amacının mantıksal tasarımına ve kural formülasyonuna dayanmaktadır ve sonraki fotolitografi adımları için maskeler tasarım çizimlerine göre yapılmaktadır. IC üretimi, çip devre şemasının maskeden silikon levhaya aktarılmasını ve kimyasal mekanik parlatma, ince film biriktirme, fotolitografi, dağlama ve iyon implantasyonu gibi adımlar dahil olmak üzere hedef çip fonksiyonunun elde edilmesini içerir. IC paketlemesinin tamamlanması ve çiplerin performans/fonksiyonel testlerinin tamamlanması, ürün teslimatından önceki son süreçtir.
Fotolitografi, yarı iletken çip üretim sürecinde zaman- alıcı ve maliyetli olan en karmaşık ve kritik süreç adımıdır. Yarı iletken çip üretimindeki zorluk ve kilit nokta, fotolitografi yoluyla elde edilen silikon plaka üzerinde hedef devre modelinin nasıl oluşturulacağıdır. Fotolitografi seviyesi doğrudan çipin işlem seviyesini ve performans seviyesini belirler. Genel olarak çipler, üretim sırasında 20-30 fotolitografi işlemi gerektirir; bu, entegre devre üretim sürecinin yaklaşık %50'sine ve çip üretim maliyetinin üçte birine karşılık gelir.
